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清溢光电控股子公司拟不超15亿元投建高端半导体掩膜版生产基地三期，覆盖28nm-14nm制程
清溢光电：控股子公司拟不超15亿元投建高端半导体掩膜版生产基地建设项目三期
摘要／原文摘录
财联社11月9日电，清溢光电(688138.SH)公告称，控股子公司佛山清溢微拟在现有基地一期、二期基础上投建“高端半导体掩膜版生产基地建设项目三期”，计划总投资额不超过人民币15亿元。三期项目主要产品为覆盖28nm-14nm制程的高端半导体掩膜版，尚需履行备案、环评等审批手续。目前一期项目已顺利投产，二期正稳步推进中。
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