Nagare Labs 宣称 Z2RAM 兼具 SRAM 速度与 DRAM 密度

Nagare Labs 是一家获 Pat Gelsinger 支持的 Georgia Tech 衍生公司，宣称其无电容存储技术 Z2RAM 可将 SRAM 速度的内存以 DRAM 级密度直接堆叠在 AI 芯片上。其第一代产品计划为 6 层堆叠、密度达 SRAM 的 5 倍、速度达 DRAM 的 14 倍、读能耗比 SRAM 低 3 倍——这些均为公司预测，尚无实测数据支持。 公司创始人向媒体承认目前仍处于实验室原型阶段，目标是约四年内提供样片，量产出货（如果实现）则要到下一个十年。该公司拒绝提供实测的数据保持时间、延迟或能耗数字。

• 待核实Z2RAM 的性能数据（密度、速度、能耗）为 Nagare Labs 自称的预测，公司拒绝提供实测数据，尚无第三方验证。
• 待核实四年内出样、十年内量产为公司目标，尚未有已确认的产品计划。

AI 根据报道生成 · 4 天前更新