Tom's Hardware· Anton Shilov ·· 15 天前AI 评分53
美光计划用晶圆键合和High-NA EUV推进下一代DRAM
Micron plans to use wafer bonding and High-NA EUV for next-gen DRAM
摘要／原文摘录
美光已从路线图中移除4F2存储单元，计划在1ε DRAM工艺引入晶圆键合，后续世代采用High-NA EUV光刻。公司还在开发包括垂直高带宽内存在内的新型存储。
来源：Tom's Hardware · tomshardware.com