美光公布存储路线图：放弃4F²，引入晶圆键合、High-NA EUV与3D DRAM
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美光公布存储路线图：放弃4F²，引入晶圆键合、High-NA EUV与3D DRAM
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美光公布未来多年DRAM与NAND路线图：放弃4F²存储单元，计划在1ε DRAM工艺引入晶圆键合，后续世代采用High-NA EUV光刻，并推进3D1、3D2两代3D DRAM，同时扩展定制HBM4E、vHBM等定制存储产品。 时间安排上，1δ工艺计划2027年下半年量产，位密度较1γ提升约20%；G11 3D NAND也计划2027下半年量产。Tom's Hardware分析认为美光的High-NA EUV节点至少要到2030年才会到来，晚于三星和SK海力士计划在2028年于DRAM采用High-NA EUV。美光放弃4F²方案，与CXMT、三星和SK海力士的路线不同。
一句话影响开发者：无直接影响投资者：存储工艺路线转向晶圆键合与High-NA EUV并推进3D DRAM，利好键合设备与先进光刻环节
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报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
11月4日
- Tom's Hardware精选Micron 公布 DRAM 与 NAND 路线图：放弃 4F² 单元、引入 High-NA EUV 并推进 3D DRAM
Micron 公布未来多年 DRAM 和 NAND 技术路线图，1δ 工艺计划 2027 下半年量产，位密度较 1γ 提升约 20%，后续将引入晶圆键合、High-NA EUV 和新材料，并推进 3D1、3D2 两代 3D DRAM。公司放弃 4F² 存储单元方案，与 CXMT、三星和 SK hynix 路线不同；同时将扩展定制 HBM4E、vHBM、vEIM 等定制存储产品。 对A股：利好存储环节，Micron路线图推进HBM等存储升级并扩产定制HBM4E，带动国内存储链景气。以上不构成投资建议。
10月26日
- Tom's Hardware美光计划用晶圆键合和High-NA EUV推进下一代DRAM
美光已从路线图中移除4F2存储单元，计划在1ε DRAM工艺引入晶圆键合，后续世代采用High-NA EUV光刻。公司还在开发包括垂直高带宽内存在内的新型存储。
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