Micron 公布 DRAM 与 NAND 路线图：放弃 4F² 单元、引入 High-NA EUV 并推进 3D DRAM

Micron 公布未来多年 DRAM 和 NAND 技术路线图，1δ 工艺计划 2027 下半年量产，位密度较 1γ 提升约 20%，后续将引入晶圆键合、High-NA EUV 和新材料，并推进 3D1、3D2 两代 3D DRAM。公司放弃 4F² 存储单元方案，与 CXMT、三星和 SK hynix 路线不同；同时将扩展定制 HBM4E、vHBM、vEIM 等定制存储产品。 对A股：利好存储环节，Micron路线图推进HBM等存储升级并扩产定制HBM4E，带动国内存储链景气。以上不构成投资建议。