英飞凌成功制造全球首个 300mm 碳化硅功率器件晶圆

英飞凌 11 月 9 日宣布，率先在全规模半导体晶圆厂环境中将 300mm（12 英寸）碳化硅（SiC）晶圆加工为功率半导体器件。该成果基于奥地利 Villach 晶圆厂现有硅半导体制造设备，验证了大尺寸碳化硅晶圆的商业化潜力。公司将与客户和合作伙伴规划 12 英寸 SiC 技术及量产时机，同时继续推进 200mm SiC 制造路线图。此外，其在德国德累斯顿工厂验证了冷分片技术在 12 英寸 SiC 上的可行性，可提升晶锭到晶圆工艺效率并减少加工损耗。