英飞凌宣布制成300mm碳化硅功率器件晶圆
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英飞凌宣布制成300mm碳化硅功率器件晶圆
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英飞凌宣布，率先在全规模晶圆厂环境中将300mm（12英寸）碳化硅晶圆加工为功率半导体器件，称其为全球首个该尺寸的碳化硅功率器件晶圆。工艺基于奥地利Villach晶圆厂现有硅半导体设备完成，公司称这验证了大尺寸碳化硅晶圆的商业化潜力。 量产时间尚未确定，英飞凌将与客户和合作伙伴规划12英寸碳化硅技术及量产时机，同时继续推进200mm碳化硅制造路线图。另在德国德累斯顿工厂验证了冷分片技术在12英寸碳化硅上的可行性，以提升晶锭到晶圆的加工效率。
一句话影响开发者：无直接影响投资者：12英寸碳化硅若量产或降低器件成本，关注碳化硅衬底与设备产业链进度。
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最新进展11月10日 11:27
英飞凌成功制造全球首个 300mm 碳化硅功率器件晶圆报道时间线
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11月10日
- IT之家英飞凌成功制造全球首个 300mm 碳化硅功率器件晶圆
英飞凌 11 月 9 日宣布，率先在全规模半导体晶圆厂环境中将 300mm（12 英寸）碳化硅（SiC）晶圆加工为功率半导体器件。该成果基于奥地利 Villach 晶圆厂现有硅半导体制造设备，验证了大尺寸碳化硅晶圆的商业化潜力。公司将与客户和合作伙伴规划 12 英寸 SiC 技术及量产时机，同时继续推进 200mm SiC 制造路线图。此外，其在德国德累斯顿工厂验证了冷分片技术在 12 英寸 SiC 上的可行性，可提升晶锭到晶圆工艺效率并减少加工损耗。
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